Αριθμός μέρους κατασκευαστή : | SPW11N80C3FKSA1 |
---|---|
Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
Κατασκευαστής / Μάρκα : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Κατάσταση αποθεμάτων : | 784 pcs Stock |
Περιγραφή : | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
Πλοίο από : | Χονγκ Κονγκ |
Φύλλα δεδομένων : | SPW11N80C3FKSA1.pdf |
Τρόπος αποστολής : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Αρ. | SPW11N80C3FKSA1 |
---|---|
Κατασκευαστής | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Περιγραφή | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
Διαθέσιμη ποσότητα | 784 pcs |
Φύλλα δεδομένων | SPW11N80C3FKSA1.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO247-3 |
Σειρά | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 156W (Tc) |
Συσκευασία | Tube |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-247-3 |
Αλλα ονόματα | SP000013703 SPW11N80C3 SPW11N80C3IN SPW11N80C3IN-ND SPW11N80C3X SPW11N80C3XK SPW11N80C3XTIN SPW11N80C3XTIN-ND |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 100V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 85nC @ 10V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 800V |
Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
MOSFET N-CH 560V 16A TO-247
MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-247
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247
MOSFET N-CH 650V 15A TO-247
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-247