Αριθμός μέρους κατασκευαστή : | FQI17N08TU | Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
---|---|---|---|
Κατασκευαστής / Μάρκα : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Κατάσταση αποθεμάτων : | 5132 pcs Stock |
Περιγραφή : | MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK | Πλοίο από : | Χονγκ Κονγκ |
Φύλλα δεδομένων : | FQI17N08TU.pdf | Τρόπος αποστολής : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Αρ. | FQI17N08TU |
---|---|
Κατασκευαστής | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Περιγραφή | MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
Διαθέσιμη ποσότητα | 5132 pcs |
Φύλλα δεδομένων | FQI17N08TU.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | I2PAK (TO-262) |
Σειρά | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 8.25A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.13W (Ta), 65W (Tc) |
Συσκευασία | Tube |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 15nC @ 10V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 80V |
Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 80V 16.5A (Tc) 3.13W (Ta), 65W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 16.5A (Tc) |
MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK
MOSFET P-CH 60V 17A I2PAK
MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK
MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK