| Αριθμός μέρους κατασκευαστή : | FQP9N50C |
|---|---|
| Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Κατασκευαστής / Μάρκα : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Κατάσταση αποθεμάτων : | 1094 pcs Stock |
| Περιγραφή : | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 |
| Πλοίο από : | Χονγκ Κονγκ |
| Φύλλα δεδομένων : | FQP9N50C(1).pdfFQP9N50C(2).pdf |
| Τρόπος αποστολής : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Αρ. | FQP9N50C |
|---|---|
| Κατασκευαστής | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Περιγραφή | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 1094 pcs |
| Φύλλα δεδομένων | FQP9N50C(1).pdfFQP9N50C(2).pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-220-3 |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 135W (Tc) |
| Συσκευασία | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-220-3 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1030pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 500V |
| Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 500V 9A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
MOSFET N-CH 200V 6.8A TO220F
MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220
Power Field-Effect Transistor, 9
MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
MOSFET N-CH 900V 8A TO-220
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
One-stop supplier of IC products