Αριθμός μέρους κατασκευαστή : | FQP16N25 |
---|---|
Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
Κατασκευαστής / Μάρκα : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Κατάσταση αποθεμάτων : | 360 pcs Stock |
Περιγραφή : | MOSFET N-CH 250V 16A TO-220 |
Πλοίο από : | Χονγκ Κονγκ |
Φύλλα δεδομένων : | FQP16N25(1).pdfFQP16N25(2).pdf |
Τρόπος αποστολής : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Αρ. | FQP16N25 |
---|---|
Κατασκευαστής | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Περιγραφή | MOSFET N-CH 250V 16A TO-220 |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
Διαθέσιμη ποσότητα | 360 pcs |
Φύλλα δεδομένων | FQP16N25(1).pdfFQP16N25(2).pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-220-3 |
Σειρά | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 8A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 142W (Tc) |
Συσκευασία | Tube |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-220-3 |
Αλλα ονόματα | FQP16N25-ND FQP16N25FS |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
Κατασκευαστής Standard Lead Time | 8 Weeks |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 35nC @ 10V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 250V |
Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 250V 16A (Tc) 142W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
MOSFET N-CH 150V 16.4A TO-220
MOSFET N-CH 150V 16.4A TO220-3
FQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TR
MOSFET N-CH 300V 14.4A TO-220
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220
MOSFET P-CH 120V 15A TO220-3
MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220
MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TR