Αριθμός μέρους κατασκευαστή : | FQB10N20TM |
---|---|
Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
Κατασκευαστής / Μάρκα : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Κατάσταση αποθεμάτων : | 11719 pcs Stock |
Περιγραφή : | MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK |
Πλοίο από : | Χονγκ Κονγκ |
Φύλλα δεδομένων : | |
Τρόπος αποστολής : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Αρ. | FQB10N20TM |
---|---|
Κατασκευαστής | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Περιγραφή | MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
Διαθέσιμη ποσότητα | 11719 pcs |
Φύλλα δεδομένων | |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263AB) |
Σειρά | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 5A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | - |
Συσκευασία | Tape & Reel (TR) |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 18nC @ 10V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 200V |
Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 200V 10A (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
FILTER 40VDC 20A PCB MOUNT
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1